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Nd:GGG晶体生长及组分过冷研究

来源期刊：功能材料与器件学报2007年第3期

论文作者：孙晶李建立张亮万玉春曾繁明刘景和

关键词：Nd:GGG晶体; 组分过冷; SEM;

摘要：本文采用提拉法生长了Nd:GGG晶体,对晶体组分过冷产生机理进行了研究.扫描电镜及其能谱分析结果表明组分过冷在晶体中产生了空洞,不同部位空洞中的成分分别为Gd4Ga2O9、Gd3GaO6和GdGaO3,观察了因组分过冷产生的位错,并讨论了克服组分过冷的措施.

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孙晶¹，李建立¹，张亮¹，万玉春¹，曾繁明¹，刘景和¹

(1.长春理工大学,长春,130022)

摘要:本文采用提拉法生长了Nd:GGG晶体,对晶体组分过冷产生机理进行了研究.扫描电镜及其能谱分析结果表明组分过冷在晶体中产生了空洞,不同部位空洞中的成分分别为Gd4Ga2O9、Gd3GaO6和GdGaO3,观察了因组分过冷产生的位错,并讨论了克服组分过冷的措施.

关键词:Nd:GGG晶体; 组分过冷; SEM;

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