高性能图形化SOI功率器件的研制
来源期刊：功能材料与器件学报2005年第3期
论文作者：杨文伟 宋朝瑞 程新红 俞跃辉
关键词：图形化SOI技术; LDMOS; 射频功率器件; 增益;
摘 要：利用掩膜注氧隔离技术(Masked SIMOX)制备图形化SOI衬底,采用与常规1μm SOI CMOS工艺兼容的工艺流程,制备了图形化SOI LDMOS 功率器件.器件的输出特性曲线中未呈现翘曲效应、开态击穿电压高于6V、关态击穿电压达到13V、泄漏电流的量级为10-8A;截止频率为8GHz;当漏工作电压3.6V,频率为1GHz时,小信号电压增益为6dB.直流和射频电学性能表明,图形化SOI LDMOS结构作为射频功率器件具有较好的开发前景.
杨文伟1，宋朝瑞1，程新红1，俞跃辉1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;
2.中国科学院研究生院,北京,100039)
摘要:利用掩膜注氧隔离技术(Masked SIMOX)制备图形化SOI衬底,采用与常规1μm SOI CMOS工艺兼容的工艺流程,制备了图形化SOI LDMOS 功率器件.器件的输出特性曲线中未呈现翘曲效应、开态击穿电压高于6V、关态击穿电压达到13V、泄漏电流的量级为10-8A;截止频率为8GHz;当漏工作电压3.6V,频率为1GHz时,小信号电压增益为6dB.直流和射频电学性能表明,图形化SOI LDMOS结构作为射频功率器件具有较好的开发前景.
关键词:图形化SOI技术; LDMOS; 射频功率器件; 增益;
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