利用HRXRD和UV-Vis反射光谱确定AlGaN/GaN/Al2O3的结构与成分
来源期刊：材料科学与工程学报2008年第3期
论文作者：陈敏梅 袁苑 席俊华 冯丹丹 毛启楠 季振国 郝芳
关键词：X射线衍射; 紫外-可见反射; 无损检测;
摘 要：结合紫外-可见光谱和高分辨XRD两种测试方法,无损、可靠地确定了AlGaN/GaN HEMT结构内各层的厚度、成分、应力等参数,解决了高分辨XRD无法同时确定成分与应力的难题.这两种方法的好处是样品不需经过特殊的处理,也不需进行切割、减薄等工艺,具有快速、无损、准确的特点,可以作为AlGaN/GaN HEMT器件的筛选工具,提高器件的成品率、降低生产成本.
陈敏梅1，袁苑2，席俊华2，冯丹丹1，毛启楠2，季振国1，郝芳1
(1.杭州电子科技大学电子信息学院,浙江杭州,310018;
2.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州,310027)
摘要:结合紫外-可见光谱和高分辨XRD两种测试方法,无损、可靠地确定了AlGaN/GaN HEMT结构内各层的厚度、成分、应力等参数,解决了高分辨XRD无法同时确定成分与应力的难题.这两种方法的好处是样品不需经过特殊的处理,也不需进行切割、减薄等工艺,具有快速、无损、准确的特点,可以作为AlGaN/GaN HEMT器件的筛选工具,提高器件的成品率、降低生产成本.
关键词:X射线衍射; 紫外-可见反射; 无损检测;
【全文内容正在添加中】
