LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：张宝顺 李忠辉 张兴德 王向武 杨进华
关键词：分别限制结构; 单量子阱; 激光器;
摘 要：设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构,采用无铝的InGaP做光学包层.腔面未镀膜情况下,测试10支条宽100μm,腔长1mm的激光器样品,连续输出功率超过1W,阈值电流密度为330～490A/cm2,外微分量子效率为55%～78%,中心发射波长为(808±3)nm.
张宝顺1，李忠辉1，张兴德1，王向武2，杨进华1
(1.长春光学精密机械学院,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;
2.信息产业部电子第五十五所新材料中心,南京,210016)
摘要:设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构,采用无铝的InGaP做光学包层.腔面未镀膜情况下,测试10支条宽100μm,腔长1mm的激光器样品,连续输出功率超过1W,阈值电流密度为330～490A/cm2,外微分量子效率为55%～78%,中心发射波长为(808±3)nm.
关键词:分别限制结构; 单量子阱; 激光器;
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