化学气相沉积技术制备TiB₂涂层研究

来源期刊：材料导报2011年第S2期

论文作者：陈大军 易同斌 吴护林 张隆平 贾代金

文章页码：199 - 202

关键词：TiB2;化学气相沉积;物相组成;沉积速率;涂层形貌;

摘    要：利用TiCl4-BCl3-H2-Ar反应体系,用化学气相沉积法（CVD）在石墨基体上沉积了TiB2涂层,研究了CVD工艺如沉积温度、气体流量、滞留时间等参数对涂层的物相组成、微晶尺寸、沉积速率、沉积形貌的影响。结果表明,沉积的涂层物相由TiB2组成,随着温度的升高,微晶尺寸增大;当沉积温度为900～950℃、气体总流量为1000mL/min和滞留时间超过2.1s时,CVD-TiB2涂层沉积速率较高;TiB2涂层颗粒尺寸随沉积温度的升高明显增大。并分析了TiB2涂层的沉积机理。