半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用研究进展

李保强^1,2,3，陈金³，刘文迪³，黄志民³，李秋红²

1. 厦门大学电子科学与技术学院2. 厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院3. 厦门虹鹭钨钼工业有限公司

摘 要：钨硅薄膜具有电阻率低、热稳定性强及抗化学腐蚀性能优异等特点,是半导体集成电路重要的构成部分,主要作为栅极接触层、扩散阻挡层或者黏附层等来进行使用。本文归纳了半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用方面的研究进展,首先分别对物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)制备钨硅薄膜的方法进行介绍,并分析了各种制备工艺的优缺点,并进一步对钨硅薄膜在半导体中的主要应用场景进行了介绍。最后分析了钨硅薄膜的未来发展前景,认为随着半导体产业的不断发展及钨硅薄膜应用的持续拓宽,钨硅薄膜的重要性将会进一步显现,钨硅薄膜的制备技术必将获得进一步的提升。

关键词：半导体;钨硅薄膜;物理气相沉积;化学气相沉积;应用现状;