电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究
来源期刊：功能材料与器件学报2003年第2期
论文作者：万青 谢欣云 沈勤我 林成鲁 林青
关键词：硅纳米锥; 电子束蒸发; 场发射;
摘 要：应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米 Si锥阵列. 采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的 电子场发射性能.实验结果表明用这种方法形成了高度为 10～ 35nm的锥状纳米结构 ,并且这些 纳米硅锥阵列的场发射性能良好.比较生长不同衬底上的纳米锥形貌与场发射性能,发现多孔硅 衬底上更适合生长这种纳米硅锥.
万青1，谢欣云1，沈勤我1，林成鲁1，林青1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050)
摘要:应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米 Si锥阵列. 采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的 电子场发射性能.实验结果表明用这种方法形成了高度为 10～ 35nm的锥状纳米结构 ,并且这些 纳米硅锥阵列的场发射性能良好.比较生长不同衬底上的纳米锥形貌与场发射性能,发现多孔硅 衬底上更适合生长这种纳米硅锥.
关键词:硅纳米锥; 电子束蒸发; 场发射;
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