简介概要

Mo-Si-B三元系中T2相合金制备及其室温力学性能

来源期刊:稀有金属材料与工程2013年第5期

论文作者:潘昆明 张来启 王珏 杜伟 林均品

文章页码:1080 - 1084

关键词:T2;放电等离子烧结;微观组织;室温力学性能;共价键;

摘    要:通过放电等离子烧结(SPS)制备T2(Mo5SiB2)相合金,并采用SEM、XRD及压痕、压缩和三点弯曲等实验对合金的微观组织和室温力学性能进行表征。结果表明:SPS法以独特的等离子活化烧结方式制备出纯度高、致密且晶粒细小的T2相合金。该合金在室温压缩下几乎没有塑性变形,抗压强度为2907MPa;维氏硬度为17.86GPa,压痕法测得的断裂韧性为3.23MPa·m1/2,与三点弯曲法测得的3.34MPa·m1/2接近,沿{001}面发生解理断裂。共价键交替排列,是T2相室温脆性、高强度、高硬度的根本原因。

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Mo-Si-B三元系中T2相合金制备及其室温力学性能

潘昆明,张来启,王珏,杜伟,林均品

北京科技大学新金属材料国家重点实验室

摘 要:通过放电等离子烧结(SPS)制备T2(Mo5SiB2)相合金,并采用SEM、XRD及压痕、压缩和三点弯曲等实验对合金的微观组织和室温力学性能进行表征。结果表明:SPS法以独特的等离子活化烧结方式制备出纯度高、致密且晶粒细小的T2相合金。该合金在室温压缩下几乎没有塑性变形,抗压强度为2907MPa;维氏硬度为17.86GPa,压痕法测得的断裂韧性为3.23MPa·m1/2,与三点弯曲法测得的3.34MPa·m1/2接近,沿{001}面发生解理断裂。共价键交替排列,是T2相室温脆性、高强度、高硬度的根本原因。

关键词:T2;放电等离子烧结;微观组织;室温力学性能;共价键;

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