低能Ar+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜
来源期刊：功能材料2004年第6期
论文作者：蒋军 柳襄怀 冯涛 宋志棠 江炳尧 任琮欣 郑里平 张正选
关键词：离子束辅助沉积; Pt膜; 择优取向;
摘 要：采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3.若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向.因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜.本文采用Monte Carlo方法模拟低能Ar+离子注入 Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析.
蒋军1，柳襄怀1，冯涛1，宋志棠1，江炳尧1，任琮欣1，郑里平2，张正选1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050;
2.中国科学院上海原子核研究所,上海,201800)
摘要:采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3.若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向.因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜.本文采用Monte Carlo方法模拟低能Ar+离子注入 Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析.
关键词:离子束辅助沉积; Pt膜; 择优取向;
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