化学气相沉积制备大面积高质量石墨烯的研究进展
来源期刊:材料导报2017年第3期
论文作者:石晓东 王伟 尹强 李春静
文章页码:136 - 142
关键词:石墨烯;化学气相沉积;衬底;碳源;生长条件;
摘 要:石墨烯是由单层碳原子紧密堆积形成的一种碳质新材料,具有优良的电学、光学、热学及力学等性质。在众多的石墨烯制备方法中,化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)最有可能实现大面积、高质量石墨烯的可控制备。综述了CVD方法制备大面积、高质量石墨烯的影响因素,包括衬底、碳源及生长条件(气体流量、生长温度、等离子体功率、生长压强、沉积时间、冷却速率等)。最后展望了CVD方法制备石墨烯的发展方向。
石晓东,王伟,尹强,李春静
河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室
摘 要:石墨烯是由单层碳原子紧密堆积形成的一种碳质新材料,具有优良的电学、光学、热学及力学等性质。在众多的石墨烯制备方法中,化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)最有可能实现大面积、高质量石墨烯的可控制备。综述了CVD方法制备大面积、高质量石墨烯的影响因素,包括衬底、碳源及生长条件(气体流量、生长温度、等离子体功率、生长压强、沉积时间、冷却速率等)。最后展望了CVD方法制备石墨烯的发展方向。
关键词:石墨烯;化学气相沉积;衬底;碳源;生长条件;