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水平掺硅砷化镓单晶生长过程中位错的控制

来源期刊：功能材料2004年增刊第1期

论文作者：武壮文于洪国张海涛王继荣

关键词：水平砷化镓; 位错密度; 熔区; 温度梯度;

摘要：讨论了如何在水平砷化镓单晶生长过程中进行位错控制,通过控制熔区的长短,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖.采取以上措施可以在一定程度上降低位错.

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武壮文¹，于洪国¹，张海涛¹，王继荣¹

(1.北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司,北京,100088)

摘要:讨论了如何在水平砷化镓单晶生长过程中进行位错控制,通过控制熔区的长短,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖.采取以上措施可以在一定程度上降低位错.

关键词:水平砷化镓; 位错密度; 熔区; 温度梯度;

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