多孔硅对单晶硅少子寿命影响状况的研究

李佳艳^1,2，郭素霞^1,2，徐强³，解希玲^1,2，胡跟兄^1,2，谭毅^1,2

1. 大连理工大学辽宁省太阳能光伏系统重点实验室2. 大连理工大学材料科学与工程学院3. 大连理工大学化工学院

摘 要：以p型单晶硅片为研究对象,在单晶硅片表面采用化学腐蚀方法制备多孔硅层,通过实验选取制备多孔硅的最佳工艺条件,采用SEM观察多孔硅表面形貌,以及用微波光电导法测试少子寿命的变化情况。结果表明,在相同的腐蚀溶液配比条件下腐蚀11min得到的多孔硅层的表面形貌最好,孔隙率最大。在850℃下热处理150min时样品少子寿命的提高达到最大,不同腐蚀时间的样品少子寿命提高程度不同,腐蚀11min的样品少子寿命提高最大,约有10%左右。多孔层的形成伴随着弹性机械应力的出现,引起多孔层-硅基底界面处产生弹性变形,这有利于缺陷和金属杂质在界面处富集。另外,多孔硅仍具有晶体结构,但其表面方向上的晶格参数要比初始硅的晶格参数大,也有利于金属杂质向多孔层迁移。

关键词：多孔硅;单晶硅;化学腐蚀;少子寿命;