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热场分布对大直径CZSi单晶中氧含量的影响

来源期刊：材料研究学报2001年第3期

论文作者：张志成郝秋艳刘彩池任丙彦

关键词：CZSi; 氧含量; 热场分布; 热对流; 数值模拟;

摘要：为了降低大直径CZSi单晶生长过程中氧的引入,采用不同的热场,通过最优化方法,得到了适于大直径(154mm)晶体生长的热场温度分布,使熔体的纵向温度梯度下降,热对流减小,硅单晶中氧含量降低.

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张志成¹，郝秋艳¹，刘彩池¹，任丙彦¹

(1.河北工业大学)

摘要:为了降低大直径CZSi单晶生长过程中氧的引入,采用不同的热场,通过最优化方法,得到了适于大直径(154mm)晶体生长的热场温度分布,使熔体的纵向温度梯度下降,热对流减小,硅单晶中氧含量降低.

关键词:CZSi; 氧含量; 热场分布; 热对流; 数值模拟;

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