热场分布对大直径CZSi单晶中氧含量的影响
来源期刊:材料研究学报2001年第3期
论文作者:张志成 郝秋艳 刘彩池 任丙彦
关键词:CZSi; 氧含量; 热场分布; 热对流; 数值模拟;
摘 要:为了降低大直径CZSi单晶生长过程中氧的引入,采用不同的热场,通过最优化方法,得到了适于大直径(154mm)晶体生长的热场温度分布,使熔体的纵向温度梯度下降,热对流减小,硅单晶中氧含量降低.
张志成1,郝秋艳1,刘彩池1,任丙彦1
(1.河北工业大学)
摘要:为了降低大直径CZSi单晶生长过程中氧的引入,采用不同的热场,通过最优化方法,得到了适于大直径(154mm)晶体生长的热场温度分布,使熔体的纵向温度梯度下降,热对流减小,硅单晶中氧含量降低.
关键词:CZSi; 氧含量; 热场分布; 热对流; 数值模拟;
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