一种二氧化钒膜的新的生长模式

来源期刊：稀有金属材料与工程2010年第S1期

论文作者：魏雄邦 蒋亚东 吴志明 廖家轩 贾宇明 田忠

文章页码：289 - 292

关键词：二氧化钒膜;膜厚;直流磁控溅射;

摘    要：采用直流反应磁控溅射法,在Si（100）基片表面沉积厚度为1000nm的二氧化钒膜。利用X射线衍射（XRD）仪和扫描电镜（SEM）分析膜的晶相和形貌,观察到二氧化钒膜的一种新的生长模式。X射线衍射分析表明生成的膜为典型的多晶二氧化钒膜,其（200）晶面衍射峰较强。扫描电镜（SEM）分析表明,随着膜厚的增加,膜表面晶粒增大,膜表面的晶粒呈现出独特的"纺锤"状或"棒"状;膜具有明显的"柱"状生长特征,在膜厚380nm以上时,"柱状"晶生长速率快速提高。样品的阻温特性分析表明,生成的二氧化钒膜具有典型的金属-半导体相变特征。