低温沉积ITO薄膜划擦行为、微结构、电学和光学性能的研究（英文）
来源期刊：稀有金属材料与工程2015年第11期
论文作者：唐武 王雅琴 刘结 张兰
文章页码：2683 - 2687
关键词：ITO;划擦测试;电阻率;
摘 要：通过RF磁控溅射技术制备不同溅射气压下的ITO薄膜,对其电阻率、光学透过率、XRD图、AFM图和划擦行为进行了研究。薄膜和基板的附着力通过划擦测试进行表征,重点研究了薄膜划擦测试的不同阶段的特征。研究表明随着Ar溅射气压的下降,薄膜附着力下降。而且,ITO薄膜的表面形貌和电阻率强烈的依赖于Ar气压。低温沉积ITO薄膜均为非晶态,在溅射气压0.8 Pa时得到电阻率(1.25×10-3Ω·cm)和高可见光透过率薄膜（90%）。研究结果表明该薄膜光学禁带约为3.85 eV,电阻率主要受载流子浓度控制,受溅射气压的变化影响有限。
唐武1，王雅琴1，刘结1，张兰2
1. 电子科技大学电子薄膜和集成器件国家重点实验室2. 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室
摘 要：通过RF磁控溅射技术制备不同溅射气压下的ITO薄膜,对其电阻率、光学透过率、XRD图、AFM图和划擦行为进行了研究。薄膜和基板的附着力通过划擦测试进行表征,重点研究了薄膜划擦测试的不同阶段的特征。研究表明随着Ar溅射气压的下降,薄膜附着力下降。而且,ITO薄膜的表面形貌和电阻率强烈的依赖于Ar气压。低温沉积ITO薄膜均为非晶态,在溅射气压0.8 Pa时得到电阻率(1.25×10-3Ω·cm)和高可见光透过率薄膜（90%）。研究结果表明该薄膜光学禁带约为3.85 eV,电阻率主要受载流子浓度控制,受溅射气压的变化影响有限。
关键词：ITO;划擦测试;电阻率;
