ITO薄膜产业化进程概述
来源期刊：世界有色金属1998年第11期
论文作者：李玉增
文章页码：3 - 5
摘 要：１ＩＴＯ薄膜发展概况氧化铟锡（Ｉｎｄｉｕｍ－Ｔｉｎ－Ｑｘｉｄｅ）或掺锡氧化铟（Ｔｉｎ－ｄｏｐｅｄＩｎｄｉｕｍＯｘｉｄｅ）薄膜是一种重掺杂、高简并ｎ型半导体，简称ＩＴＯ薄膜。目前，ＩＴＯ薄膜的电子密度ｎｅ可高达１０２１／ｃｍ３，电子迁移率μｅ在１５～４...
李玉增
北京有色金属研究总院
摘 要：１ＩＴＯ薄膜发展概况氧化铟锡（Ｉｎｄｉｕｍ－Ｔｉｎ－Ｑｘｉｄｅ）或掺锡氧化铟（Ｔｉｎ－ｄｏｐｅｄＩｎｄｉｕｍＯｘｉｄｅ）薄膜是一种重掺杂、高简并ｎ型半导体，简称ＩＴＯ薄膜。目前，ＩＴＯ薄膜的电子密度ｎｅ可高达１０２１／ｃｍ３，电子迁移率μｅ在１５～４...
关键词：
