气相二氧化硅物理吸附水测定及与表面硅羟基含量之间关系

修昊¹，段先健²，张婷婷¹，赵友博¹，郭真有¹，吴春蕾²，王跃林²，傅强¹

1. 四川大学高分子科学与工程学院高分子材料工程国家重点实验室(四川大学)2. 广州汇富研究院有限公司

摘 要：热重分析法测定气相二氧化硅表面硅羟基含量操作简便、无化学试剂、误差小,近年来越来越受到关注。但是,其中物理吸附水脱除的条件还存在争议。文中选用国内外2家代表性公司生产的相同比表面积的气相二氧化硅为对象,详细地研究了升温模式、升温速率、等温温度和等温时间对其表面物理吸附水脱除的影响。确定了物理吸附水脱除的最优测试条件:10℃/min升温至200℃等温5 min。对比发现,相同条件下,国外产品的脱水量高于国内产品,这可能是由于国外产品具有更高的硅羟基含量所致。本工作不但找到了国内外产品关键性能的差距,而且完善了热重分析法测定气相二氧化硅表面羟基含量,并为相关测试标准的发展提供技术支撑。

关键词：气相二氧化硅;硅羟基;热重分析;物理吸附水;