混合磨料对LED用蓝宝石衬底CMP质量的影响

来源期刊：功能材料2012年第S1期

论文作者：于江勇 刘玉岭 牛新环 李英的 夏显召

文章页码：84 - 86

关键词：蓝宝石衬底;化学机械抛光;混合磨料;去除速率;

摘    要：分析了混合磨料在蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)过程中的作用机理,并对比了SiO2水溶胶磨料和SiO2与Al2O3混合磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响。研究表明,在主磨料SiO2水溶胶中加入浓度为20mL/L同粒径纳米级的Al2O3可以使CMP过程中的化学作用与机械作用达到相互平衡,使抛光去除速率得到明显提高。在距抛光终点5～10min通过调整工艺参数与抛光液配比,使表面粗糙度由2.32nm降至0.236nm。