裂解升温速率对聚碳硅烷先驱体转化制备Cf/SiC材料弯曲性能的影响
来源期刊：材料工程2003年第11期
论文作者：陈国民 郑文伟 陈朝辉 简科 马青松
关键词：Cf/SiC复合材料; 聚碳硅烷; 弯曲强度; 界面;
摘 要：以聚碳硅烷(PCS)/二乙烯基苯(DVB)为先驱体制备了3D-B Cf/siC复合材料,研究先驱体转化过程中不同裂解升温速率对材料力学性能的影响.结果表明:随着裂解升温速率的提高,材料致密度增加,界面结合变弱,从而陶瓷基复合材料的力学性能明显提高.以15℃/min裂解升温速率制得的陶瓷基复合材料的室温弯曲强度达到556.7MPa,1300℃真空下测试,材料的弯曲强度达到680.3MPa.
陈国民1，郑文伟2，陈朝辉2，简科2，马青松2
(1.湖南城市学院科技处,益阳,41300O;
2.国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073)
摘要:以聚碳硅烷(PCS)/二乙烯基苯(DVB)为先驱体制备了3D-B Cf/siC复合材料,研究先驱体转化过程中不同裂解升温速率对材料力学性能的影响.结果表明:随着裂解升温速率的提高,材料致密度增加,界面结合变弱,从而陶瓷基复合材料的力学性能明显提高.以15℃/min裂解升温速率制得的陶瓷基复合材料的室温弯曲强度达到556.7MPa,1300℃真空下测试,材料的弯曲强度达到680.3MPa.
关键词:Cf/SiC复合材料; 聚碳硅烷; 弯曲强度; 界面;
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