射频反应溅射制备倾斜AlN薄膜
来源期刊：功能材料与器件学报2010年第3期
论文作者：吴雯 熊娟 杜鹏飞 陈侃松 顾豪爽
文章页码：285 - 288
关键词：C轴倾斜;AlN薄膜;射频反应溅射;
摘 要：采用射频反应磁控溅射方法,通过旋转转盘,使衬底与靶材水平偏离一定角度,制备了C轴择优取向的倾斜AlN薄膜。用XRD分析了不同偏转角度下制备的AlN薄膜的择优取向度,用场发射扫描电镜（FE-SEM）观察了薄膜的截面形貌,并初步讨论了倾斜AlN薄膜的生长机理。分析和测试结果表明,当转盘旋转角度为10°时,AlN薄膜柱状晶倾斜最明显,倾斜角度可达25°。
吴雯，熊娟，杜鹏飞，陈侃松，顾豪爽
湖北大学物理学与电子技术学院
摘 要：采用射频反应磁控溅射方法,通过旋转转盘,使衬底与靶材水平偏离一定角度,制备了C轴择优取向的倾斜AlN薄膜。用XRD分析了不同偏转角度下制备的AlN薄膜的择优取向度,用场发射扫描电镜（FE-SEM）观察了薄膜的截面形貌,并初步讨论了倾斜AlN薄膜的生长机理。分析和测试结果表明,当转盘旋转角度为10°时,AlN薄膜柱状晶倾斜最明显,倾斜角度可达25°。
关键词：C轴倾斜;AlN薄膜;射频反应溅射;
