磁控溅射中工艺参数对ZnO:Al薄膜性能的影响
来源期刊：材料导报2009年增刊第2期
论文作者：王晓晶 于军 雷青松 袁俊明 徐玮
关键词：磁控溅射; 陶瓷靶材; 电阻率; 透过率; ZnO:Al薄膜; RF magnetron sputtering; ceramic target; resistivities; transmittance; ZnO ∶ Al films;
摘 要：利用射频磁控溅射法,采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材,在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜,研究了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响.采用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,采用分光光度计和电阻率测试仪对薄膜的光电学性能进行了测试.结果表明,当溅射功率为120W、衬底温度为300℃、工作气压为0.5Pa时制得的薄膜具有良好的光电学性能,可见光平均透过率为88.21%,电阻率为8.28×10-4Ω·cm.
王晓晶1，于军3，雷青松3，袁俊明3，徐玮3
(1.华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074;
2.湖北省光伏工程技术研究中心,武汉430074;
3.华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074)
摘要:利用射频磁控溅射法,采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材,在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜,研究了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响.采用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,采用分光光度计和电阻率测试仪对薄膜的光电学性能进行了测试.结果表明,当溅射功率为120W、衬底温度为300℃、工作气压为0.5Pa时制得的薄膜具有良好的光电学性能,可见光平均透过率为88.21%,电阻率为8.28×10-4Ω·cm.
关键词:磁控溅射; 陶瓷靶材; 电阻率; 透过率; ZnO:Al薄膜; RF magnetron sputtering; ceramic target; resistivities; transmittance; ZnO ∶ Al films;
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