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分子印迹电化学传感器测定赛诺吗嗪残留

来源期刊:理化检验-化学分册2017年第6期

论文作者:周强 潘登 高牧丛 常东 张泽 潘洪志

文章页码:674 - 678

关键词:循环伏安法;差分脉冲伏安法;分子印迹聚合物;赛诺吗嗪;传感器;

摘    要:以邻苯二胺为功能单体,赛诺吗嗪为印迹分子,采用电化学聚合法在石墨烯修饰的金电极上制备了可快速测定赛诺吗嗪的分子印迹电化学传感器。考察了功能单体的选择、石墨烯修饰金电极、扫描圈数等参数对该传感器性能的影响,利用循环伏安法、差分脉冲伏安法和电化学阻抗法对该传感器进行表征。赛诺吗嗪的线性范围为6.0×10-96.0×10-4 mol·L-1,检出限(3s/k)为1.0×10-9 mol·L-1。加标回收率在88.0%102%之间,测定值的相对标准偏差(n=5)在2.0%3.5%之间。

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分子印迹电化学传感器测定赛诺吗嗪残留

周强1,潘登1,高牧丛1,常东2,张泽2,潘洪志1,3

1. 哈尔滨医科大学公共卫生学院2. 复旦大学附属浦东医院3. 上海健康医学院

摘 要:以邻苯二胺为功能单体,赛诺吗嗪为印迹分子,采用电化学聚合法在石墨烯修饰的金电极上制备了可快速测定赛诺吗嗪的分子印迹电化学传感器。考察了功能单体的选择、石墨烯修饰金电极、扫描圈数等参数对该传感器性能的影响,利用循环伏安法、差分脉冲伏安法和电化学阻抗法对该传感器进行表征。赛诺吗嗪的线性范围为6.0×10-96.0×10-4 mol·L-1,检出限(3s/k)为1.0×10-9 mol·L-1。加标回收率在88.0%102%之间,测定值的相对标准偏差(n=5)在2.0%3.5%之间。

关键词:循环伏安法;差分脉冲伏安法;分子印迹聚合物;赛诺吗嗪;传感器;

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