电子束蒸发制备织构状纳米ZnO∶Al及其光电性能研究

来源期刊：功能材料2015年第21期

论文作者：王丽军 孙义清 李剑 王小平

文章页码：21085 - 21088

关键词：掺铝ZnO;电子束蒸发沉积;透明导电薄膜;

摘    要：采用真空电子束蒸发沉积设备在不同温度下（350⁴00℃）直接在玻璃基底上一次性生长400nm厚的织构状纳米掺铝ZnO薄膜。研究了不同的基底温度对掺铝ZnO薄膜的结构、电学性质以及光学性质的影响。研究发现,其光学透过率在390¹ 100nm的整个波段都超过87%,在580¹ 100nm光谱范围内光学透过率超过93%。当沉积温度为380℃时,掺铝ZnO薄膜的电阻率最低,其值可达1.2×10-4Ω·cm。