SHS法工艺参数对制备氮化硅粉体的影响
来源期刊：粉末冶金工业2006年第6期
论文作者：王正军 段关文 燕东明 王拥军 李金富
关键词：自蔓燃高温合成; α-Si3N4; β-Si3N4;
摘 要：本文采用自蔓燃高温合成方法(Self-propagating High-temperature Synthesis)简称(SHS)合成氮化硅粉体,借助于XRD、SEM等检测方法,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释剂与孔隙率等方面的影响.结果表明:只要最高燃烧温度不高于相应氮气压力下Si3N4的热分解温度,就可以用SHS方法合成Si3N4;氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂,来控制反应温度,以获得高α相含量的粉体.压坯气孔率控制在30%～70%,否则反应不能进行.研究发现SHS法可以制备纯度较高的氮化硅粉体.此法较传统方法合成的氮化硅设备简单,成本低廉,纯度高,填充性及烧结活性好.
王正军1，段关文2，燕东明2，王拥军2，李金富2
(1.江苏省宿迁市宿迁学院,宿迁市,223800;
2.中国兵器工业第五二研究所,烟台,264003)
摘要:本文采用自蔓燃高温合成方法(Self-propagating High-temperature Synthesis)简称(SHS)合成氮化硅粉体,借助于XRD、SEM等检测方法,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释剂与孔隙率等方面的影响.结果表明:只要最高燃烧温度不高于相应氮气压力下Si3N4的热分解温度,就可以用SHS方法合成Si3N4;氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂,来控制反应温度,以获得高α相含量的粉体.压坯气孔率控制在30%～70%,否则反应不能进行.研究发现SHS法可以制备纯度较高的氮化硅粉体.此法较传统方法合成的氮化硅设备简单,成本低廉,纯度高,填充性及烧结活性好.
关键词:自蔓燃高温合成; α-Si3N4; β-Si3N4;
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