张应力作用下CoFeSiB非晶丝和薄带的巨磁阻抗效应
来源期刊：磁性材料及器件2010年第1期
论文作者：武继文 张义权
关键词：CoFeSiB非晶丝; CoFeSiB非晶薄带; 张应力; 巨磁阻抗; CoFeSiB amorphous wire; CoFeSiB amorphous ribbon; tensile stress; giant magneto impedance;
摘 要：采用熔融抽拉法和单辊急冷法分别制备了Co_(68.25)Fe_(4.5)Si_(12.25)B_(15)非晶丝和薄带.研究了不同张应力作用下丝和薄带的GMI效应,结果发现随张应力的上升非晶丝的GMI比下降,而非晶薄带的GMI比则先升后降.当张应力为227MPa时,薄带的GMI比最大达到452%,△Z/Z=[Z(H)-Z(H=0)]/Z(H=0)也达到260%,磁场灵敏度达到3.2%/(A·m~(-1)).分析表明过强的环向(横向)各向异性反而不利于GMI效应.
武继文1，张义权2
(1.南京医科大学,基础医学院,江苏南京,210029;
2.南京师范大学,物理科学与技术学院,江苏南京,210097)
摘要:采用熔融抽拉法和单辊急冷法分别制备了Co_(68.25)Fe_(4.5)Si_(12.25)B_(15)非晶丝和薄带.研究了不同张应力作用下丝和薄带的GMI效应,结果发现随张应力的上升非晶丝的GMI比下降,而非晶薄带的GMI比则先升后降.当张应力为227MPa时,薄带的GMI比最大达到452%,△Z/Z=[Z(H)-Z(H=0)]/Z(H=0)也达到260%,磁场灵敏度达到3.2%/(A·m~(-1)).分析表明过强的环向(横向)各向异性反而不利于GMI效应.
关键词:CoFeSiB非晶丝; CoFeSiB非晶薄带; 张应力; 巨磁阻抗; CoFeSiB amorphous wire; CoFeSiB amorphous ribbon; tensile stress; giant magneto impedance;
【全文内容正在添加中】
