磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响
来源期刊：金属学报2002年第10期
论文作者：刘宜华 吴厚政 代由勇 张林 萧淑琴
关键词：巨磁阻抗效应; 非晶态软磁钴基合金薄带; 趋肤效应;
摘 要：本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800 kHz的交变电流频率下,得到了236%的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT.
刘宜华1，吴厚政1，代由勇1，张林1，萧淑琴1
(1.山东大学物理与微电子学院,济南,250100)
摘要:本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800 kHz的交变电流频率下,得到了236%的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT.
关键词:巨磁阻抗效应; 非晶态软磁钴基合金薄带; 趋肤效应;
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