共掺杂Cu,Te后禁带宽度变窄对In2Se3基半导体热电性能的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2012年第12期
论文作者：崔教林 张晓军 李奕沄 高榆岚
文章页码：2118 - 2122
关键词：α-In2Se3基半导体;禁带宽度(Eg);热电性能;
摘 要：α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度（Eg）变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m-1·K-2;最大热电优值（ZT）从本征态时的0.25提高到0.63。高分辨电镜（HRTEM）观察结果表明,在未掺杂时,α-In2Se3呈现非晶状组织,共掺杂Cu,Te后,微结构则转变成明显的多晶组织。在温度高于500K时,掺杂后晶格热导率的适量提高与该微结构转变有直接联系。
崔教林1，张晓军2，李奕沄3，高榆岚2
1. 宁波工程学院2. 中国矿业大学3. 太原理工大学
摘 要：α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度（Eg）变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m-1·K-2;最大热电优值（ZT）从本征态时的0.25提高到0.63。高分辨电镜（HRTEM）观察结果表明,在未掺杂时,α-In2Se3呈现非晶状组织,共掺杂Cu,Te后,微结构则转变成明显的多晶组织。在温度高于500K时,掺杂后晶格热导率的适量提高与该微结构转变有直接联系。
关键词：α-In2Se3基半导体;禁带宽度(Eg);热电性能;
