微波合成Mg2Si1-xSnx热电固溶体
来源期刊:粉末冶金材料科学与工程2012年第4期
论文作者:周书才 杜长坤 符春林
文章页码:475 - 481
关键词:Mg2Si1-xSnx;固溶体;低温固相反应法;微波合成;
摘 要:为了解决传统方法制备Mg2Si1-xSnx(0≤x≤1.0)固溶体过程中带来Mg的氧化和挥发等问题,引进微波低温合成法制备Mg2Si1-xSnx热电固溶体,用XRD及SEM分析手段对合成的块体的物相和形貌进行表征,并研究Mg2Si1-xSnx化合物的热电特性和在微波场中的加热特性以及合成工艺对Mg2Sil xSnx压坯制备的影响。结果表明:Mg2Si1-xSnx压坯在微波场中的加热升温曲线与Mg2Si1-xSnx压坯密度相关,随压坯密度增大,升温速率降低;XRD分析表明在微波辐射下Mg2Si1-xSnx形成了良好的固溶体;在测试温度范围内,Mg2Si1-xSnx在500 K温度下最高的ZT值达到0.26。
周书才,杜长坤,符春林
重庆科技学院冶金与材料工程学院
摘 要:为了解决传统方法制备Mg2Si1-xSnx(0≤x≤1.0)固溶体过程中带来Mg的氧化和挥发等问题,引进微波低温合成法制备Mg2Si1-xSnx热电固溶体,用XRD及SEM分析手段对合成的块体的物相和形貌进行表征,并研究Mg2Si1-xSnx化合物的热电特性和在微波场中的加热特性以及合成工艺对Mg2Sil xSnx压坯制备的影响。结果表明:Mg2Si1-xSnx压坯在微波场中的加热升温曲线与Mg2Si1-xSnx压坯密度相关,随压坯密度增大,升温速率降低;XRD分析表明在微波辐射下Mg2Si1-xSnx形成了良好的固溶体;在测试温度范围内,Mg2Si1-xSnx在500 K温度下最高的ZT值达到0.26。
关键词:Mg2Si1-xSnx;固溶体;低温固相反应法;微波合成;