电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析
来源期刊：功能材料2006年第9期
论文作者：刘亦安 田德恒 庄惠照 何建廷 薛成山 吴玉新
关键词：氮化镓薄膜; Si衬底; 电泳沉积; 六方纤锌矿结构;
摘 要：采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备出了GaN薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收(FTIR)谱、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)对样品的结构、组分和形貌进行了分析.结果显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜.
刘亦安1，田德恒1，庄惠照1，何建廷1，薛成山1，吴玉新1
(1.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014)
摘要:采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备出了GaN薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收(FTIR)谱、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)对样品的结构、组分和形貌进行了分析.结果显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜.
关键词:氮化镓薄膜; Si衬底; 电泳沉积; 六方纤锌矿结构;
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