低温预氧化对PIP-SiC_f/SiC复合材料介电性能的影响

穆阳¹，李皓¹，刘宇清²，林刚¹，周万城³

1. 中国飞行试验研究院航电所2. 南京航空航天大学机械结构力学及控制国家重点实验室3. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室

摘 要：分析了低温预氧化过程对聚碳硅烷（PCS）先驱体结构的影响,研究了不同预氧化温度和时间下SiCf/SiC复合材料室温和高温介电性能的演变规律。结果表明:经预氧化处理后基体中的氧含量增加,生成具有低介电常数的Si CxOy相,且其含量随着预氧化温度的升高或时间的延长逐渐增加,SiC微晶和自由碳的含量均减少,因此SiCf/SiC复合材料的复介电常数明显降低,同时高温复介电常数的升高幅度显著减小。经260℃-6 h预氧化处理后,700℃时复合材料在整个X波段的反射率均达到-8 d B以下,高温吸波性能得到有效改善。

关键词：SiCf/SiC复合材料;低温预氧化;PIP法;高温介电性能;高温吸波性能;