窄能隙共轭聚合物--聚[吡咯-2,5-二(二茂铁甲烯)]的合成与表征
来源期刊：高分子材料科学与工程2003年第1期
论文作者：王丽莉 张志成 万梅香 延卫
关键词：共轭高分子; 聚[吡咯-2,5-二(二茂铁甲烯)]; 窄能隙;
摘 要：通过吡咯与二茂铁甲醛的缩合反应合成了含茂类金属的共轭高分子--聚[吡咯-2,5-二(二茂铁甲烯)](PPDFcE)及其前聚物聚[吡咯-2,5-二(二茂铁甲烷)](PPDFcA).通过红外、核磁、紫外、元素分析鉴定了产物及其前聚物的结构.利用DSC、TGA及TGA-IR测试分析了所合成聚合物的热学性质.紫外光谱表明PPDFcE的能隙为1.13 eV,属窄能隙共轭聚合物.经碘掺杂后产物的电导率在10-7 S/cm,而掺杂TCNQ的产物的导电率达到了10-2 S/cm.
王丽莉1，张志成1，万梅香2，延卫1
(1.西安交通大学环境与化学工程学院,陕西,西安,710049;
2.中国科学院化学所有机固体室,北京,100080)
摘要:通过吡咯与二茂铁甲醛的缩合反应合成了含茂类金属的共轭高分子--聚[吡咯-2,5-二(二茂铁甲烯)](PPDFcE)及其前聚物聚[吡咯-2,5-二(二茂铁甲烷)](PPDFcA).通过红外、核磁、紫外、元素分析鉴定了产物及其前聚物的结构.利用DSC、TGA及TGA-IR测试分析了所合成聚合物的热学性质.紫外光谱表明PPDFcE的能隙为1.13 eV,属窄能隙共轭聚合物.经碘掺杂后产物的电导率在10-7 S/cm,而掺杂TCNQ的产物的导电率达到了10-2 S/cm.
关键词:共轭高分子; 聚[吡咯-2,5-二(二茂铁甲烯)]; 窄能隙;
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