曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构应力阻抗效应研究
来源期刊：功能材料与器件学报2005年第4期
论文作者：赵晓昱 周勇 茅昕辉 曹莹 陈吉安 丁文
关键词：应力阻抗; FeSiB/Cu/FeSiB三层膜; 磁控溅射; 曲折状;
摘 要：采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构,在1～40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm、外加电场频率为25MHz时,应力阻抗效应达到-18.3%,在力敏传感器方面具有广阔的应用前景.
赵晓昱1，周勇2，茅昕辉2，曹莹2，陈吉安2，丁文2
(1.上海工程技术大学,汽车工程学院,上海,200336;
2.上海交通大学微纳科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海,200030)
摘要:采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构,在1～40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm、外加电场频率为25MHz时,应力阻抗效应达到-18.3%,在力敏传感器方面具有广阔的应用前景.
关键词:应力阻抗; FeSiB/Cu/FeSiB三层膜; 磁控溅射; 曲折状;
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