Sr-F共掺杂对AgSnO2电性能影响的仿真分析
来源期刊:贵金属2018年第2期
论文作者:康慧玲 王景芹 张颖
文章页码:34 - 38
关键词:电接触材料;AgSnO2;第一性原理;电性能;Sr-F共掺杂;
摘 要:采用第一性原理下的密度泛函理论,通过Materials Studio中的CASTEP模块计算Sr-F共掺杂SnO2能带结构、态密度、差分电荷密度及电荷布居数,以研究共掺杂对改善AgSnO2导电性能的影响。结果表明,共掺杂后的材料仍为直接带隙半导体材料;Sr的3d态与F的2p态共同作用于费米能级附近的价带部分,同时F的2p态作用于导带;使得价带顶穿过费米能级,导带底向费米能级处靠近,即禁带宽度减小,载流子由价带激发到导带所需的能量减小,使SnO2的导电性能得到提高。
康慧玲,王景芹,张颖
河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室
摘 要:采用第一性原理下的密度泛函理论,通过Materials Studio中的CASTEP模块计算Sr-F共掺杂SnO2能带结构、态密度、差分电荷密度及电荷布居数,以研究共掺杂对改善AgSnO2导电性能的影响。结果表明,共掺杂后的材料仍为直接带隙半导体材料;Sr的3d态与F的2p态共同作用于费米能级附近的价带部分,同时F的2p态作用于导带;使得价带顶穿过费米能级,导带底向费米能级处靠近,即禁带宽度减小,载流子由价带激发到导带所需的能量减小,使SnO2的导电性能得到提高。
关键词:电接触材料;AgSnO2;第一性原理;电性能;Sr-F共掺杂;