Ti掺杂MoS₂薄膜的抗氧化性和电学性能

谢明玲¹，张广安²，史鑫¹，谭稀¹，高晓平¹，宋玉哲¹

1. 甘肃省科学院传感技术研究所2. 中科院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室

摘 要：用磁控溅射在硅片上制备MoS2和Ti-MoS2薄膜,并将其在恒温恒湿箱中在AT 30℃、RH 70%条件下存储360 h。使用XRD谱、XPS谱和紫外-可见分光光度计、四探针测试仪表征分析薄膜的结构、在恒温恒湿条件下存储前后的表面化学状态和电学性能,研究了Ti掺杂对薄膜抗氧化性和电学性能的影响。结果表明:Ti掺杂影响MoS2薄膜的晶体取向。随着Ti靶电流的增大薄膜的结晶性变差,Ti靶电流为0.6A时薄膜呈无定型结构且禁带宽度减小、电导率提高;在恒温恒湿条件下存储后薄膜的部分氧化而呈MoS2与MoO3的复合状态,随着Ti靶电流的增大IMo-O/IMo-S比提高、禁带宽度略有增大,Ti靶电流为0.4A的Ti-MoS2薄膜其化学稳定性较高。

关键词：材料科学基础学科;MoS₂薄膜;磁控溅射;抗氧化性;电学性能;