简介概要

GaAs与Si之间过渡层的设计及其分析

来源期刊：功能材料2004年增刊第1期

论文作者：王雪雯谭红琳

关键词：晶格失配; 界面态密度; 过渡层;

摘要：从理论上计算出GaAs/Si异质结在Si的(211)面上界面态密度最小,故GaAs在Si(211)面上生长晶格失配度较小.同时,为了缓解晶格失配,我们采用生长一层GaAs多晶层或Te过渡层得到较好的结果.

详情信息展示

王雪雯¹，谭红琳²

(1.云南广播电视学校,云南,昆明,650041;
2.昆明理工大学,材料系,云南,昆明,650093)

摘要:从理论上计算出GaAs/Si异质结在Si的(211)面上界面态密度最小,故GaAs在Si(211)面上生长晶格失配度较小.同时,为了缓解晶格失配,我们采用生长一层GaAs多晶层或Te过渡层得到较好的结果.

关键词:晶格失配; 界面态密度; 过渡层;

【全文内容正在添加中】