简介概要

垂直沟道器件的研究与进展

来源期刊：功能材料与器件学报2003年第3期

论文作者：刘金华周发龙黄如张兴

关键词：垂直沟道器件; 硅台刻蚀; 外延; MOSFET;

摘要：介绍了垂直沟道器件的常见结构和工艺,分析了垂直沟道器件的最新进展以及垂直沟道器件制作工艺中的最新技术,详细讨论了垂直沟道器件的性能,并分析了垂直沟道器件的优点以及存在的问题.

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刘金华¹，周发龙¹，黄如¹，张兴¹

(1.北京大学微电子学系,北京,100871)

摘要:介绍了垂直沟道器件的常见结构和工艺,分析了垂直沟道器件的最新进展以及垂直沟道器件制作工艺中的最新技术,详细讨论了垂直沟道器件的性能,并分析了垂直沟道器件的优点以及存在的问题.

关键词:垂直沟道器件; 硅台刻蚀; 外延; MOSFET;

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