三五族器件技术与产业趋势报告
来源期刊：功能材料与器件学报2020年第6期
论文作者：王轶滢 贺宇
关键词：GaAs;InP;GaN;射频器件;光电器件;功率器件;
摘 要：以GaAs、InP和GaN为代表的三五族化合物材料具有比硅材料更大的禁带宽度和电子迁移率等特性,满足现代电子技术对高温、高频、大功率等条件的新要求,在通信技术、汽车电子领域成为发展前沿。随着5G、新能源汽车、太阳能、节能（快充）技术的迅速发展,三五族化合物市场将持续增长。GaAs、InP和GaN器件技术与产业在射频、光电和功率器件应用方面发展趋势乐观。
王轶滢2，贺宇3
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所战略研究室3. 上海理工大学
摘 要：以GaAs、InP和GaN为代表的三五族化合物材料具有比硅材料更大的禁带宽度和电子迁移率等特性,满足现代电子技术对高温、高频、大功率等条件的新要求,在通信技术、汽车电子领域成为发展前沿。随着5G、新能源汽车、太阳能、节能（快充）技术的迅速发展,三五族化合物市场将持续增长。GaAs、InP和GaN器件技术与产业在射频、光电和功率器件应用方面发展趋势乐观。
关键词：GaAs;InP;GaN;射频器件;光电器件;功率器件;
