反应溅射SiO_xN_y栅介质薄膜的成分及C-V特性研究
来源期刊：材料导报2009年第20期
论文作者：王德苗 徐文彬
关键词：氯氧化硅; 氯氧比; C-V特性; 栅介质; SiO_xN_y; nitrogen-oxygen ratio; C-V characteristics; gate dielectric;
摘 要：在前期工作基础上,研究了不同反应气体组合条件下SiQ_xN_y栅介质薄膜的反应溅射制备.反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积速率的不同,并进一步导致薄膜电学性能的差异.对薄膜电容-电压特性的分析表明,沉积速率降低会使薄膜体缺陷密度减小,而氮含量的减少则有助于提高薄膜界面质量.最终结果显示,采用合适的反应气体组合(QN_2=1.0sccm,Qo_2=1.0sccm)制得的SiOxNy薄膜具有较低的体缺陷密度和较好的界面质量,适合于MOS栅介质领域的应用.
王德苗1，徐文彬2
(1.浙江大学信电系,杭州,310027;
2.集美大学信息工程学院,厦门,361021)
摘要:在前期工作基础上,研究了不同反应气体组合条件下SiQ_xN_y栅介质薄膜的反应溅射制备.反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积速率的不同,并进一步导致薄膜电学性能的差异.对薄膜电容-电压特性的分析表明,沉积速率降低会使薄膜体缺陷密度减小,而氮含量的减少则有助于提高薄膜界面质量.最终结果显示,采用合适的反应气体组合(QN_2=1.0sccm,Qo_2=1.0sccm)制得的SiOxNy薄膜具有较低的体缺陷密度和较好的界面质量,适合于MOS栅介质领域的应用.
关键词:氯氧化硅; 氯氧比; C-V特性; 栅介质; SiO_xN_y; nitrogen-oxygen ratio; C-V characteristics; gate dielectric;
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