FeCuNbSiB多层膜的磁化特性与巨磁阻抗效应
来源期刊：功能材料与器件学报2007年第6期
论文作者：辛宏梁 吴志明 袁望治 杨燮龙 林宏 赵振杰 阮建中 程金科
关键词：巨磁阻抗效应; 磁导率; 弛豫频率; 等效电路;
摘 要：用射频磁控溅射法制备了FeCuNbSiB多层膜,制备态样品的GMI效应在驱动电流频率为12MHz时达到最大,为44.3%.利用复数磁导率和等效电路讨论了该多层膜的磁化过程,及与GMI效应的关系.外加直流磁场抑制磁畴运动,在等效电路中与抵消并联电路相关.样品磁化的特征弛豫频率在12MHz左右,与出现最大磁阻抗变化的频率接近.
辛宏梁1，吴志明1，袁望治1，杨燮龙1，林宏1，赵振杰1，阮建中1，程金科1
(1.华东师范大学物理系,上海,200062)
摘要:用射频磁控溅射法制备了FeCuNbSiB多层膜,制备态样品的GMI效应在驱动电流频率为12MHz时达到最大,为44.3%.利用复数磁导率和等效电路讨论了该多层膜的磁化过程,及与GMI效应的关系.外加直流磁场抑制磁畴运动,在等效电路中与抵消并联电路相关.样品磁化的特征弛豫频率在12MHz左右,与出现最大磁阻抗变化的频率接近.
关键词:巨磁阻抗效应; 磁导率; 弛豫频率; 等效电路;
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