衬底位置对制备二维的MoS₂的影响

赵建江¹，李洪飞²，谢爽¹，徐明生³

1. 浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室2. 浙江大学高分子科学与工程学系3. 浙江大学信息与电子工程学院硅材料国家重点实验室

摘 要：新型的二维层状材料凭借着其优异的机械、光学、电学等独特性能受到研究者广泛关注,二维层状材料如石墨烯、过渡金属硫族化合物等在柔性器件等领域具有潜在的应用前景,成为了现阶段研究热点之一;然而,应用的前提是高质量的二维材料大面积可控制备。利用化学气相沉积方法制备了二维的MoS₂,探讨了放置衬底的差异对合成二维的MoS₂的影响。结果表明,在其它相同的实验条件下,face-up和face-down的放置位置制备的MoS₂具有不同的形状、在衬底上的覆盖率不同;尽管如此,两种放置情况下,获得的单层的MoS₂具有类似的结构和荧光特性。研究结果对可控合成二维的MoS₂以及其它的TMDs均具有指导意义和参考价值。

关键词：二维材料;过渡金属硫族化合物;化学气相沉积制备;衬底放置;