InAs薄膜的分子束外延生长与表面形貌及表面重构分析
来源期刊：材料导报2013年第4期
论文作者：王继红 罗子江 周勋 张毕禅 郭祥 丁召
文章页码：90 - 92
关键词：InAs薄膜;分子束外延;反射高能电子衍射;扫描隧道显微镜;表面重构;
摘 要：利用带有反射高能电子衍射(RHEED)仪的分子束外延(MBE)方法,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,在InAs(001)基片上同质外延InAs薄膜。利用扫描隧道显微镜(STM)对MBE生长的InAs薄膜表面形貌以及表面重构进行扫描分析,证实样品表面为原子级平整,并指出样品表面处于β2(2×4)与α2(2×4)两种重构混合的重构相。
王继红1，罗子江1,2，周勋1,3，张毕禅1，郭祥1，丁召1
1. 贵州大学理学院2. 贵州财经学院教育管理学院3. 贵州师范大学物理与电子科学学院
摘 要：利用带有反射高能电子衍射(RHEED)仪的分子束外延(MBE)方法,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,在InAs(001)基片上同质外延InAs薄膜。利用扫描隧道显微镜(STM)对MBE生长的InAs薄膜表面形貌以及表面重构进行扫描分析,证实样品表面为原子级平整,并指出样品表面处于β2(2×4)与α2(2×4)两种重构混合的重构相。
关键词：InAs薄膜;分子束外延;反射高能电子衍射;扫描隧道显微镜;表面重构;
