射频集成电路用高性能金属—绝缘体—金属电容的研究
来源期刊：功能材料与器件学报2014年第1期
论文作者：张秋香 朱宝 丁士进
文章页码：13 - 19
关键词：金属—绝缘体—金属(MIM)电容;高介电常数;绝缘介质;电极;
摘 要：随着无线通讯技术的快速发展,高性能金属-绝缘体-金属（MIM）电容器已引起人们的极大关注,成为下一代射频集成电路的必然选择。本文从MIM电容的技术背景、制备方法、绝缘介质的设计以及电极材料几个方面,对MIM电容器件的研究进展进行了较全面的综述,可望为开发下一代射频集成电路用高性能MIM电容提供技术指导。
张秋香1,2，朱宝1，丁士进1
1. 专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学微电子学院2. 上海建桥学院电子工程系
摘 要：随着无线通讯技术的快速发展,高性能金属-绝缘体-金属（MIM）电容器已引起人们的极大关注,成为下一代射频集成电路的必然选择。本文从MIM电容的技术背景、制备方法、绝缘介质的设计以及电极材料几个方面,对MIM电容器件的研究进展进行了较全面的综述,可望为开发下一代射频集成电路用高性能MIM电容提供技术指导。
关键词：金属—绝缘体—金属(MIM)电容;高介电常数;绝缘介质;电极;
