双坩埚LEC法砷化镓熔体流动与传热传质数值模拟

来源期刊：材料科学与工程学报2009年第6期

论文作者：王正乾 李明伟 徐赟瑜 王晓丁

文章页码：914 - 1860

关键词：液封提拉法;质量浓度;数值模拟;双坩埚;

摘    要：采用低雷诺数κ-ε湍流模型,模拟了双坩埚LEC法砷化镓熔体的流动与传热传质。分析了不同晶体转速、内坩埚转速、外坩埚转速条件下的熔体流动与传热,获得了考虑溶质分凝效应后的Si掺杂在砷化镓熔体中的分布。结果表明:随着晶体转速的增大,生长界面附近等温线更加平直且等温线密度增大;随着内坩埚转速的增大,生长界面附近等温线凸向熔体;外坩埚转速对生长界面等温线形状影响很小;Si在熔体中的质量浓度梯度除生长界面和补充熔体进口处较大外,主要集中在小管内及其附近。