硼离子对铕掺杂SiO2干凝胶发光性能的影响
来源期刊：中国稀土学报2005年第6期
论文作者：白晋涛 樊君 侯洵 仁兆玉 胡晓云
关键词：硼离子; 溶胶-凝胶法; 发光性质; (Eu3+,Eu2+,SiO2)干凝胶; 稀土;
摘 要：采用溶胶-凝胶法制备了Al单掺和B, Al共掺的Eu掺杂SiO2干凝胶. 利用荧光光谱、 IR, XRD, DSC, TG/DTG等技术研究了硼离子、退火温度对样品发光性质的影响. 经500 ℃以上退火处理用248 nm激发的样品, 产生Eu3+离子5D0→7FJ的特征发射, 5D0→7F1的跃迁分裂为两个峰. 比较615 nm处的发光强度, 掺硼酸样品的发光强度是不加硼酸发光强度的3.3倍. 这是因为B离子的加入, 在材料中形成了Si-O-B键, 破坏了网络的对称性, 加强了Eu3+的红光发射. 当退火温度上升到850 ℃用350 nm激发时, 样品有很强的Eu2+蓝光发射,Al单掺的发射中心在437 nm处, 发射半峰宽约为70 nm, 而B, Al共掺样品的发光中心蓝移到425 nm处, 单掺样品的蓝光强度几乎是共掺样品强度的2倍. 这是由于硼酸的加入改变了基质的网络结构, 从而导致单掺和共掺样品发射峰位和强度的改变.
白晋涛1，樊君2，侯洵1，仁兆玉1，胡晓云1
(1.西北大学光子学与光子技术研究所,陕西,西安,710069;
2.西北大学化工学院,陕西,西安,710069;
3.中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,陕西,西安,710068;
4.西北大学物理系,陕西,西安,710069)
摘要:采用溶胶-凝胶法制备了Al单掺和B, Al共掺的Eu掺杂SiO2干凝胶. 利用荧光光谱、 IR, XRD, DSC, TG/DTG等技术研究了硼离子、退火温度对样品发光性质的影响. 经500 ℃以上退火处理用248 nm激发的样品, 产生Eu3+离子5D0→7FJ的特征发射, 5D0→7F1的跃迁分裂为两个峰. 比较615 nm处的发光强度, 掺硼酸样品的发光强度是不加硼酸发光强度的3.3倍. 这是因为B离子的加入, 在材料中形成了Si-O-B键, 破坏了网络的对称性, 加强了Eu3+的红光发射. 当退火温度上升到850 ℃用350 nm激发时, 样品有很强的Eu2+蓝光发射,Al单掺的发射中心在437 nm处, 发射半峰宽约为70 nm, 而B, Al共掺样品的发光中心蓝移到425 nm处, 单掺样品的蓝光强度几乎是共掺样品强度的2倍. 这是由于硼酸的加入改变了基质的网络结构, 从而导致单掺和共掺样品发射峰位和强度的改变.
关键词:硼离子; 溶胶-凝胶法; 发光性质; (Eu3+,Eu2+,SiO2)干凝胶; 稀土;
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