掺铅CsI晶体中Pb2＋聚集体的发光
来源期刊：功能材料与器件学报2001年第1期
论文作者：冯锡淇 赵建林
关键词：掺铅碘化铯晶体; 退火; Pb2+聚集体; 发光;
摘 要：退火处理后的CsI:Pb晶体在10～30K温度范围内观察到两类发光:当激发波长为410nm,主要发光带在464nm附近;而当激发波长为360nm或300nm,主发射带为422nm。这两种发光带的相对强度与退火时间的长短密切相关。讨论了CsI:Pb晶体中不同的Pb2＋基聚集相的形成机制和发光机理。
冯锡淇1，赵建林2
(1.中国科学院硅酸盐研究所;
2.西北工业大学应用物理系,)
摘要:退火处理后的CsI:Pb晶体在10～30K温度范围内观察到两类发光:当激发波长为410nm,主要发光带在464nm附近;而当激发波长为360nm或300nm,主发射带为422nm。这两种发光带的相对强度与退火时间的长短密切相关。讨论了CsI:Pb晶体中不同的Pb2＋基聚集相的形成机制和发光机理。
关键词:掺铅碘化铯晶体; 退火; Pb2+聚集体; 发光;
【全文内容正在添加中】
