钛酸铜钙巨介电陶瓷的制备与B位钼掺杂改性研究
来源期刊:材料保护2013年第S2期
论文作者:樊慧庆 郑茜
文章页码:6 - 8
关键词:巨介电陶瓷;钛酸钙铜;B位掺杂;介电性能;
摘 要:采用固相反应法制备出B位Mo4+掺杂的钛酸钙铜(CaCu3Ti4O12)陶瓷,探讨了其相结构、显微组织和电学性能。Mo4+掺杂后CaCu3Ti4O12介电常数为8 187,100 Hz1 MHz频率稳定性好,介电损耗值小于0.3,电学性能的改善与Mo4+掺杂后导致晶粒尺寸增大和晶粒电阻减小有关。通过对CaCu3Ti4-x Mo x O12-δ(x=0.002 5)陶瓷变温介电频谱的分析,得到其介电弛豫的晶界热激活能(E a)为0.529 eV。
樊慧庆,郑茜
西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室
摘 要:采用固相反应法制备出B位Mo4+掺杂的钛酸钙铜(CaCu3Ti4O12)陶瓷,探讨了其相结构、显微组织和电学性能。Mo4+掺杂后CaCu3Ti4O12介电常数为8 187,100 Hz1 MHz频率稳定性好,介电损耗值小于0.3,电学性能的改善与Mo4+掺杂后导致晶粒尺寸增大和晶粒电阻减小有关。通过对CaCu3Ti4-x Mo x O12-δ(x=0.002 5)陶瓷变温介电频谱的分析,得到其介电弛豫的晶界热激活能(E a)为0.529 eV。
关键词:巨介电陶瓷;钛酸钙铜;B位掺杂;介电性能;