简介概要

Ti1-xAlxN涂层LPCVD过程模拟中的热力学计算

来源期刊:硬质合金2013年第6期

论文作者:王少卿 陈响明 杜勇 王社权

文章页码:297 - 301

关键词:CVD;Ti1-xAlxN涂层;热力学计算;

摘    要:本文通过Thermo-Calc相图热力学计算软件建立了包含亚稳Fcc-Ti1-x Alx N相的Ti-Al-N三元体系的热力学模型,并对Ti1-x Alx N涂层的LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)过程进行了计算模拟。研究了AlCl3,NH3和H2等反应气体成分变化对涂层中的Al含量的影响,理论预测结果与文献报道的实验结果吻合良好。利用计算模拟手段探究了富Al-Ti1-x Alx N涂层的沉积过程,并预测了富Al-Ti1-x Alx N涂层中的Al含量随反应气体成分以及沉积温度改变的变化情况。发现适当增加AlCl3、NH3/H2值及沉积温度均可提高涂层中的Al含量。

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Ti1-xAlxN涂层LPCVD过程模拟中的热力学计算

王少卿1,陈响明2,杜勇1,王社权2

1. 中南大学粉末冶金国家重点实验室2. 株洲钻石切削刀具股份有限公司

摘 要:本文通过Thermo-Calc相图热力学计算软件建立了包含亚稳Fcc-Ti1-x Alx N相的Ti-Al-N三元体系的热力学模型,并对Ti1-x Alx N涂层的LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)过程进行了计算模拟。研究了AlCl3,NH3和H2等反应气体成分变化对涂层中的Al含量的影响,理论预测结果与文献报道的实验结果吻合良好。利用计算模拟手段探究了富Al-Ti1-x Alx N涂层的沉积过程,并预测了富Al-Ti1-x Alx N涂层中的Al含量随反应气体成分以及沉积温度改变的变化情况。发现适当增加AlCl3、NH3/H2值及沉积温度均可提高涂层中的Al含量。

关键词:CVD;Ti1-xAlxN涂层;热力学计算;

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