Eu3+、Gd3+共掺杂Sr2SiO4荧光粉的液相沉淀合成及能量转移发光性能
来源期刊:合成材料老化与应用2016年第1期
论文作者:霍涌前 汪英杰 任筱筱 张瑾 刘晓莉 陈小利
文章页码:68 - 72
关键词:发光性能;Sr2SiO4;能量转移;
摘 要:采用液相沉淀法合成了钆单掺杂、铕单掺杂、钆-铕共掺杂的硅酸锶发光材料。用X-射线衍射(XRD)对其结构表征。利用荧光光谱(PL)方法对合成的样品进行发光性能表征。研究结果表明:在250nm紫外光为激发波长时,Eu3+单掺杂Sr2SiO4∶0.04Eu3+的发光光谱出现Eu3+的5D0→7F1(584nm)、5D0→7F2(614nm)、5D0→7F3(626nm)跃迁发光峰,钆-铕共掺杂Sr2SiO4∶x Gd3+,0.04Eu3+发光体系中,主要表现为Eu3+离子的特征发射。探讨了在硅酸锶发光体中Gd3+→Eu3+能量传递的机理,主要为电偶极-电偶极相互作用。当改变Eu3+离子的掺杂浓度时,样品表现为Eu3+离子的特征发射,此时材料发橙色光。保持Gd3+、Eu3+离子掺杂浓度不变,K+作为电荷补偿剂,对材料发光强度影响很小。
霍涌前1,汪英杰1,2,任筱筱3,张瑾1,刘晓莉1,陈小利1
1. 延安大学陕西省化学反应工程重点实验室2. 北京理工大学化学学院3. 陕西延长石油(集团)有限责任公司
摘 要:采用液相沉淀法合成了钆单掺杂、铕单掺杂、钆-铕共掺杂的硅酸锶发光材料。用X-射线衍射(XRD)对其结构表征。利用荧光光谱(PL)方法对合成的样品进行发光性能表征。研究结果表明:在250nm紫外光为激发波长时,Eu3+单掺杂Sr2SiO4∶0.04Eu3+的发光光谱出现Eu3+的5D0→7F1(584nm)、5D0→7F2(614nm)、5D0→7F3(626nm)跃迁发光峰,钆-铕共掺杂Sr2SiO4∶x Gd3+,0.04Eu3+发光体系中,主要表现为Eu3+离子的特征发射。探讨了在硅酸锶发光体中Gd3+→Eu3+能量传递的机理,主要为电偶极-电偶极相互作用。当改变Eu3+离子的掺杂浓度时,样品表现为Eu3+离子的特征发射,此时材料发橙色光。保持Gd3+、Eu3+离子掺杂浓度不变,K+作为电荷补偿剂,对材料发光强度影响很小。
关键词:发光性能;Sr2SiO4;能量转移;