Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金A-D变体对的纳米孪晶间的取向关系
来源期刊：材料热处理学报2017年第7期
论文作者：欧阳晟 杨延清
文章页码：1 - 5
关键词：Ni-Mn-Ga合金;纳米孪晶;A-D变体对;取向关系;
摘 要：通过透射电镜观察了Ni54Mn25Ga21磁性形状记忆合金中A-D马氏体变体对的晶体学特征。结果表明:微米级的单个马氏体变体由纳米级的粗、细两种片层组成,这两种片层呈（1 1 2）复合型孪晶关系。变体对之间任意两片层的取向关系随着细片层所占变体的体积分数变化而改变,粗-粗（或细-细）片层对的取向关系接近于相同,粗-细片层对的取向关系接近于（1 1 2）孪晶关系。此外,沿着片层的<11 0>方向观察,变体间界面位于竖立位置,界面弯曲。界面处片层之间存在一定交叉,交叉的区域在10 nm以内。
欧阳晟，杨延清
西北工业大学材料学院
摘 要：通过透射电镜观察了Ni54Mn25Ga21磁性形状记忆合金中A-D马氏体变体对的晶体学特征。结果表明:微米级的单个马氏体变体由纳米级的粗、细两种片层组成,这两种片层呈（1 1 2）复合型孪晶关系。变体对之间任意两片层的取向关系随着细片层所占变体的体积分数变化而改变,粗-粗（或细-细）片层对的取向关系接近于相同,粗-细片层对的取向关系接近于（1 1 2）孪晶关系。此外,沿着片层的<11 0>方向观察,变体间界面位于竖立位置,界面弯曲。界面处片层之间存在一定交叉,交叉的区域在10 nm以内。
关键词：Ni-Mn-Ga合金;纳米孪晶;A-D变体对;取向关系;
