缓冲层生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响
来源期刊：功能材料2007年第6期
论文作者：李美成 张保顺 赵连城 刘国军 李林 邱永鑫 熊丽
关键词：分子束外延; GaSb; 缓冲层; 生长速率;
摘 要：用分子束外延(MBE)法在GaAs(100)衬底上生长GaSb薄膜,得到了GaSb薄膜的优化生长工艺条件.为了降低因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温(LT)GaSb作为缓冲层,研究了缓冲层的生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响,并以此说明缓冲层在GaSb薄膜生长中所起的作用.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到当低温GaSb缓冲层的生长速率为1.43μm/h时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.
李美成1，张保顺2，赵连城1，刘国军2，李林2，邱永鑫1，熊丽3
(1.哈尔滨工业大学,材料学院,黑龙江,哈尔滨,150001;
2.长春理工大学,材料学院,吉林,长春130022;
3.哈尔滨工业大学(威海)
摘要:用分子束外延(MBE)法在GaAs(100)衬底上生长GaSb薄膜,得到了GaSb薄膜的优化生长工艺条件.为了降低因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温(LT)GaSb作为缓冲层,研究了缓冲层的生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响,并以此说明缓冲层在GaSb薄膜生长中所起的作用.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到当低温GaSb缓冲层的生长速率为1.43μm/h时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.
关键词:分子束外延; GaSb; 缓冲层; 生长速率;
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